氮化硅制备的方法有很多，每个方法都需要注意不同的事情，特别是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时，能通过调节沉积参数来减少张力。先利用溶胶凝胶法制备出二氧化硅，然后同时利用碳热还原法和氮化对其中包含特细碳粒子的硅胶进行处理后得到氮化硅纳米线。硅胶中的特细碳粒子是由葡萄糖在1200-1350°C分解产生的。要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用：氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同，生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。